日前，国际高压直流输电大会HVDC2020在西安古都举行。英飞凌专家Jens Prazybilla在主题演讲“ VSC-HVDCSystems的HowtoDesignBest-FitPressPackIGBT和二极管”中发表了主题演讲。作为特邀嘉宾，引起了与会专家的极大关注。首款产品4500V / 3000A设备是专门为电网应用开发的，适用于MMC和DC断路器等低频开关应用。语音电影可以与客户共享。欢迎与我们联系。简介AIGBT芯片技术IGBT芯片采用领先的Trench + Fieldstop技术。业界首次将压降芯片的工作结温提高到150°C，并且其导通压降大大降低。 VCEsat（150°C下的典型值约为2.7V）。该芯片可以减少系统损耗并提高效率，同时还可以扩展系统的安全工作区域。 B芯片子单元创新地采用了硅片+钼芯片双面银烧结技术，每个芯片都封装在一个独立的单元中，得到了很好的保护。同时，银烧结极大地降低了不同材料之间的界面热阻，改善了芯片的瞬时热特性，并提高了其过载能力。独立的芯片子单元使生产更加方便。一方面，不再担心由芯片表面污染引起的潜在故障风险；另一方面，可以独立进行全面的大电流动态和静态测试，从而使芯片参数一致性筛选测试成为可能，QR码可用于跟踪所有生产测试信息。新的C封装压接装置采用完全密封的圆形陶瓷外壳，并填充氮气以保护芯片免受潮气或其他腐蚀性气体的侵害，有利于提高环境适应性并降低现场故障率。使用纳米银烧结技术的芯片具有更强的功率循环能力，并且这些器件可以通过业内最严格的测试条件（Tvjmax / min = 150°C / 50°C，100K结温波动，50,000个循环），满足现场服务要求使用寿命超过30年。 D的长期故障短路特性得益于坚固的封装设计。即使遇到直流支持电容器桥臂的直通放电故障，该设备在发生故障后也可以保持在短路状态，从而帮助系统更可靠地运行。如验证测试所示，将有故障的芯片预先放置在栅极端子附近，并且该器件要承受长期的额定电流。解剖之后，发现在芯片CE之间已经形成了可靠的熔融金属连接，这可以保证故障器件的拥有。导通电阻非常低。 E组装简单可靠，芯片一致性高。该设备的组件仅包括正极/负极铜盖，PCB板，36个芯片子单元和几个安装螺钉。更少的零件有助于减少组装难度并提高生产效率。所选的36个芯片子单元的机械和电气参数高度一致，以确保设备的可靠性。 F自动化生产线的生产线使用了大量的自动化设备，以减少生产过程中的人为干预，从而可以保证每个设备的一致性，并可以提高生产率。关于英飞凌英飞凌设计，开发，制造和销售各种半导体和系统解决方案。其业务重点包括汽车电子，工业电子，射频应用，移动终端和基于硬件的安全解决方案。英飞凌将企业的成功与社会责任相结合，致力于使人们的生活更加便捷，安全和环保。尽管半导体几乎是看不见的，但它们已成为我们日常生活中不可或缺的一部分。无论是在发电，输电还是在利用中，英飞凌芯片始终发挥着至关重要的作用。此外，它们在保护数据通信，改善道路交通安全以及减少车辆二氧化碳排放方面也是必不可少的。