在苛刻的应用中使用什么新型的900 V和1200 V SiC MOSFET？它有什么作用？推动高能效创新的安森美半导体（ON Semiconductor，NASDAQ：ON）推出了另外两个产品。碳化硅（SiC）MOSFET系列扩大了其宽带隙（WBG）器件系列。这些新设备适用于各种苛刻且高增长的应用，包括太阳能逆变器，电动汽车（EV）车载充电，不间断电源（UPS），服务器电源和EV充电桩。所提供的性能水平根本无法达到硅（Si）MOSFET。安森美半导体的新型1200伏（V）和900 V N沟道SiC MOSFET具有比硅更快的开关性能和更高的可靠性。快速本征二极管的反向恢复电荷很低，可显着降低损耗，提高整体解决方案的工作频率和功率密度。小巧的芯片尺寸进一步增强了高频操作，实现了更小的器件电容和更低的栅极电荷Qg（低至220 nC），从而降低了在高频下工作时的开关损耗。这些增强功能比基于Si的MOSFET具有更高的能源效率，减少了电磁干扰（EMI），并可以使用更少（或更小）的无源组件。坚固耐用的SiC MOSFET与Si器件相比，具有更高的浪涌额定值，更好的雪崩能力和更高的短路电阻，从而提供更高的可靠性和更长的使用寿命，这对于要求苛刻的现代电源应用至关重要。较低的正向电压提供了无阈值的导通状态特性，从而降低了器件开启时的静态损耗。 1200 V器件的额定电流高达103 A（最大ID），而900 V器件的额定电流高达118A。对于需要更高电流的应用，安森美半导体的MOSFET可以很容易地并联运行。到它们的正温度系数/与温度无关。安森美半导体功率解决方案部门功率MOSFET部门副总裁/总经理Gary Straker在谈到新型SiC MOSFET器件时说：“如果设计工程师想要实现现代可再生能源，汽车，IT和工业所要求的具有挑战性的高能效，电信应用和功率密度目标，他们需要高性能，高可靠性的MOSFET器件。安森美半导体的WBG SiC MOSFET具有比硅器件所不能提供的更高的性能，包括更低的损耗，更高的工作温度以及更快的开关速度，更高的EMI和更高的可靠性。为了进一步支持工程界，安森美半导体还提供了广泛的资源和工具来简化和加速设计过程。 “安森美半导体的所有SiC MOSFET都是无铅和无卤素的，并且用于汽车应用的设备均符合AEC-Q100汽车法规和生产零件批准计划（PPAP）。所有设备均采用行业标准TO-247或D2PAK封装。以上是对苛刻应用中使用的新型900 V和1200 V SiC MOSFET的分析。希望能对您有所帮助。