EPC9148和EPC9153演示板用于48VDC / DC转换

在生活中，您可能接触过各种电子产品，然后您可能不知道它的某些组件，例如其中可能包含的氮化镓场效应晶体管，然后让编辑带领所有人一起学习氮化镓场效应晶体管。

EPC电源转换公司（EPC）宣布推出用于48VDC / DC转换的EPC9148和EPC9153演示板。

EPC9153是一款250W超薄电源模块，具有简单且低成本的同步降压配置，峰值效率为98.2％，最大组件厚度为6.5 mm。

EPC9148使用多层拓扑，组件的最大厚度小于4 mm，峰值效率为98％。

GaN场效应晶体管的工作原理与传统硅器件相同，除了少数例外。

例如，最重要的区别在于前者的最大栅极电压为6V。

这两个演示板集成了Microchip的dsPIC33CK数字信号控制器（DSC）和EPC的最新一代100V GaN场效应晶体管。

它们具有超薄的外形尺寸，在12.5A电流下的效率超过98％。

由于Microchip数字控制器的高度灵活性，它允许在44V至60V的范围内调节输入电压，而输出电压在5V至20V的范围内。

为了实现GaN场效应晶体管的最高性能，我们建议使用4 V至5 V驱动器。

EPC9148多电平转换器减小了支持磁性组件的模块的尺寸，同时在紧凑的解决方案中实现了高效率。

EPC9148演示板的一大亮点是使用WürthElektronik的超薄功率电感器来实现具有超高功率密度的设计。

由于GaN器件具有较低的最大栅极电压，因此建议使用电压可调的栅极驱动电路以确保安全操作。

EPC9153演示板提供了一种简单且低成本的同步降压配置，因此该组件可以实现纤薄的最大厚度，98.2％的峰值效率以及在20V输出时温升低于40°C的情况。

eGaNFET凭借其快速的开关性能而提高了整体效率，其芯片级的占位面积使其易于散热，从而实现了紧凑型设计所需的低温上升。

由于其高频率，低导通电阻和低封装寄生电感，GaN场效应晶体管具有当前硅（Si）技术无法拥有的性能潜力。

此外，由于GaN器件具有较高的开关速度和较低的封装寄生电感，因此印刷电路板的布局将影响转换器的性能。

EPC应用工程副总裁MichaeldeRooij说：“计算机，显示器，智能电话和其他消费电子系统正在变得越来越薄，功能越来越强大。

我们非常高兴与Microchip Technology和WürthElektronik合作开发超薄，高效的解决方案，以应对在有限的空间和体积内实现更高功率的挑战”。

我相信，通过阅读以上内容，每个人都对GaN场效应晶体管有一个初步的了解，我希望每个人都在学习过程中。

这样，请做一个很好的总结，以便您可以不断提高设计水平。