英特尔还发布了台式机RocketLake和游戏笔记本电脑高性能移动TigerLake-H,它们均属于第11代Core家族,但后者只有4核,8线程和35W热设计功耗,最高可达8与第10代游戏笔记本电脑相比。核心16线程,45W散热设计功耗明显降低了一个档次,这显然不足以满足高端游戏笔记本电脑的需求。
实际上,现在发布的第11代游戏平台的完整代号是TigerLake-H35,它实际上只是TigerLake-U的低功耗版本的产品,它可以降低功耗并提高频率。真正的全身是TigerLake-H45。
将实现8核,45W散热设计功耗。英特尔还公开展示了该芯片的TigerLake-H45W版本。
可以看出,它明显大于35W版本,并且与35W版本的处理器不同。芯片组已集成和封装。
它仍然是传统的独立设计。芯片组独立包装。
英特尔还透露,TigerLake-H45W版本最多具有8个内核和新的PCIe4.0架构,该架构应具有更多通道。 TigerLake-H45W版本仍采用10nm SuperFin工艺制造,并且还将核心图形卡与XeLP微体系结构集成在一起,但是核心数量未知。
TigerLake-H45W的发布时间未知。估计要在618之前,否则盘子会变冷。
毕竟,AMDZen3架构的Ryzen 5000H系列在诞生时就非常受欢迎。游戏产品非常丰富,特别是华硕Magic系列和Bing Blade系列,Moba系列,Gunshen系列都是Ryzen 5000H,但是基于TigerLake-H35W的游戏并不多。
公司: 深圳市捷比信实业有限公司
电话: 0755-29796190
邮箱: momo@jepsun.com
产品经理: 李经理
QQ: 2215069954
地址: 深圳市宝安区翻身路富源大厦1栋7楼

更多资讯
获取最新公司新闻和行业资料。
- double sum = 0.0; for(int i = 0; i < n; i++) { if(resistors[i] > 0) { sum += 1.0 / resistors[i]; 在C语言中计算并联电阻的总电阻是一个常见的应用问题,它涉及到基本的物理知识与编程技巧的结合。并联电路中的总电阻可以通过所有并联电阻倒数的和的倒数来计算。首先,我们需要定义一个函数来处理这一计算过程。例如...
- 0-40V N MOSFET与40-300V N MOSFET性能对比及应用解析 0-40V N MOSFET与40-300V N MOSFET核心参数对比在现代电源管理与功率电子系统中,N沟道金属-氧化物-半导体场效应晶体管(N MOSFET)扮演着关键角色。根据工作电压范围的不同,可将N MOSFET分为两大类:0-40V低电压型与40-300V高电压型。这...
- 40-300V N MOS与0-40V N MOS参数对比:应用场景与选型指南 40-300V N MOS与0-40V N MOS核心参数对比在电源管理、电机驱动及开关电源设计中,N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(N MOSFET)是关键元件。根据耐压范围的不同,可将N MOS分为高耐压型(40-300V)与低压型(0-40V)。以下从多个维度...
- 1安铅保险丝直径约0.5至0.8毫米 铅保险丝的直径与所需通过的最大电流有关。一般来说,用于1安培电流的铅保险丝直径大约在0.5毫米到0.8毫米之间,但具体尺寸还需参照实际产品的规格表或制造商提供的数据。因为不同制造商可能有略微不同的设计标准和材料...
- 0-40V N沟道MOSFET的应用与选择指南 在电子设计中,0-40V N沟道MOSFET是一种常用的半导体器件,广泛应用于电源管理、电机控制和信号放大等场合。正确选择和应用MOSFET对于确保电路性能和可靠性至关重要。本文将探讨如何根据具体需求选择合适的0-40V N沟道MOSFET,并...
- 深入解析:如何根据系统需求选择合适的N MOSFET?40-300V vs 0-40V 为什么不同耐压范围的N MOSFET适用于不同领域?在现代电子系统中,正确选型N MOSFET是保障系统稳定性与效率的关键。本文以40-300V与0-40V两个典型范围为例,深入剖析其技术差异与选型逻辑。1. 工作电压决定耐压选型系统输入电压...
- 深入解析:0-40V N MOS vs PMV0402-5R0E100 与 PVR10D 的电气特性差异 核心差异:从电气参数看技术定位在实际工程应用中,仅看“电压范围”不足以判断器件优劣。以下从关键电气参数出发,深度剖析三款产品的本质区别。一、关键参数对比表 参数 0-40V N MOS PVR10D PMV0402-5R0E100 最大...
- OMLON接近开关E2E-X2D1-N-Z: 原装正品,现货供应 OMLON品牌的接近开关E2E-X2D1-N-Z是一款高质量、高精度的检测设备。这款产品以其卓越的性能和可靠性,在各种工业自动化领域得到了广泛的应用。原装正品保证了其优秀的品质与稳定性,能够满足用户对于精确度和耐用性的高标准...
- 0-40V N MOS与PVR10D、PMV0402-5R0E100对比分析:性能、应用与选型指南 引言在现代电子系统设计中,功率MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)是实现高效能量转换与控制的核心元件。特别是在电源管理、电机驱动和车载电子等领域,选择合适的MOSFET至关重要。本文将对三种常见型号——0-40V N...
- 从0.6X0.3mm到0.8X0.8mm:深入对比两种Chip SMD封装规格 Chip SMD-0.6X0.3mm 与 0.8X0.8mm 封装性能对比在电子元器件选型中,Chip SMD-0.6X0.3mm 和 0.8X0.8mm 是两种极具代表性的超小型封装形式。它们虽同属表面贴装技术,但在尺寸、应用场景及制造难度上存在明显差异。1. 尺寸与物理特性对比 参...
- 欧姆龙E2E-X3D1-N-Z接近开关:工业自动化领域的高效解决方案 欧姆龙的E2E-X3D1-N-Z是一款高性能的接近开关,广泛应用于工业自动化领域。这款接近开关采用先进的传感技术,能够在无需物理接触的情况下检测到金属物体的存在或接近,从而实现对机械设备的精确控制。它具有较高的检测精...
- PT100热电阻温度与电阻值对照表(0°C基准0.385) 根据PT100热电阻的标准特性,其电阻值随温度变化而变化,通常基于0°C时电阻为100Ω作为参考。对于给定的温度系数α=0.385Ω/°C(这指的是每度变化的电阻增量),我们可以构建一个简化版的对照表来展示特定温度下对应的电阻值...
- 深入解析:贴片电容点火为何在现代点火系统中更受欢迎? 贴片电容点火的技术优势与发展背景随着电子设备向小型化、集成化方向发展,贴片电容点火(SMD Capacitive Discharge Ignition)因其卓越的性能表现,逐渐取代传统电阻电感点火方案,成为高端点火系统的首选。一、为什么电容点火...
- 五向开关DC12(V)0.05(A):应用与技术参数 五向开关DC12(V)0.05(A)是一种电子元件,它在电路设计和设备控制中发挥着重要作用。这种开关通常用于需要控制多个方向或功能的应用场景,例如遥控器、游戏控制器或是小型电子设备的导航按钮等。五向开关能够提供上、...
- K8.0系列单开:简约设计与实用功能的完美结合 墙壁开关插座作为日常生活中不可或缺的一部分,其设计与功能直接影响到我们的居住体验。以K8.0系列单开为例,这款产品不仅在外观设计上追求简约而不失时尚感,还注重实用性和耐用性。该系列采用优质PC材料制成,具有良...
- 压力开关PSF100A-0.5:高精度与可靠性的工业解决方案 压力开关PSF100A-0.5是一款精密设备,用于监测和控制各种工业应用中的压力水平。这款产品以其高精度和可靠性而著称,适用于多种环境条件下使用。PSF100A-0.5的设计使其能够精确地检测到最小的压力变化,并及时作出反应。这种...
- 摇接地电阻摇到0.4是否正常 在进行接地电阻测试时,如果测得的接地电阻值为0.4欧姆,这通常被认为是一个非常低的值,并且在某些情况下可能是正常的。然而,这种情况需要根据具体的应用场景来判断。一般来说,对于电气设备的安全接地要求,标准建...
- 深入解析电阻阵列CN..A系列与SWR..A系列、CRW..A系列的核心差异 引言在电子元器件领域,电阻阵列因其高集成度、稳定性和空间节省优势,广泛应用于精密电路、工业控制及通信设备中。其中,CN..A系列、SWR..A系列和CRW..A系列是市场上常见的三种电阻阵列型号。尽管它们均属于电阻阵列类别,...
- 0 在探讨电容器存储电能的计算方法时,我们通常会从基本的物理原理出发。首先,我们知道电容器是由两个导体(通常是金属板)组成的,这两个导体之间被一种绝缘材料(称为电介质)隔开。当电容器连接到电源上时,它会在...
- 耐脉冲电阻PWR..A系列与SWR..A系列、CRW..A系列的性能对比分析 耐脉冲电阻PWR..A系列与SWR..A系列、CRW..A系列的核心区别解析在工业自动化、电力系统及高可靠性电子设备中,耐脉冲电阻因其出色的抗冲击能力而备受青睐。其中,PWR..A系列、SWR..A系列和CRW..A系列是市场上常见的三大类耐脉冲电...