近年来,国内手机厂商的强劲崛起带动了上游产业链的快速发展。这些供应商中有许多已经表现出色,并已成为行业领导者,例如Sunny Optical。
大陆最大的光学巨头舜宇光学于2020年12月宣布了其主要产品的出货量。根据公告的内容,舜宇光学12月的玻璃球面透镜的出货量达到了464.3万,一年。
同比增长19.7%;手机镜头出货量达到1.3亿部,比2019年同期增长2.5%。可以看出,手机镜头是舜宇光学的主要产品。
根据数据显示,早在2018年,舜宇光学就已成为全球最大的手机摄像头模块供应商。但是,舜宇光学汽车镜头的出货量也在持续增长,已经成为舜宇光学继手机镜头之后的第二主要产品。
舜宇光学的汽车镜头出货量变化图显示,从2018年到2019年,由于汽车智能技术的发展,舜宇光学的汽车镜头出货量屡创新高。 2020年12月,舜宇光学的汽车镜头同比增长37.3%至573.6万片。
智能手机和汽车的良好市场趋势也推动了Sunny Optical的年度收入飙升。 2015年,舜宇光学的年收入为106.96亿元; 2019年,这一价值增加到378.49亿元。
根据Sunny Optical的2020年半年度报告,该公司2020年上半年实现收入188.64亿元人民币。据估计,到2020年,该公司的整体收入有望超过400亿美元。
元。在业绩攀升的同时,舜宇光学也赢得了资本市场的认可。
截至1月12日上午,在撰写本文之前,该公司的总市值已超过2130亿元人民币。从上述各种数据来看,舜宇光学在现阶段无疑是中国大陆第一大光学巨头。
重视研发以创造领先地位,Sunny Optics之所以能够取得如此优异的成绩,不仅是由于Huami OV等制造商的支持,而且还因为该公司高度重视其研发工作。公司成立以来的核心技术。
统计数据显示,自2008年以来,Sunny Optical的R& D支出一直在增加,R& D投资在收入中所占的比例一直稳定在4%-6%。截至2019年中,Sunny Optical已拥有1,263项专利,这在光学领域创造了相对较高的技术壁垒。
写在最后,站在通风口,猪可以飞。但是,如果公司自身的实力不足,那么它的飞行就越高,那就越糟。
Sunny Optical从一家小工厂成长为全球领导者的能力不仅取决于运气,还取决于数十年的深入研究和技术。
公司: 深圳市捷比信实业有限公司
电话: 0755-29796190
邮箱: tao@jepsun.com
产品经理: 陆经理
QQ: 2065372476
地址: 深圳市宝安区翻身路富源大厦1栋7楼

更多资讯
获取最新公司新闻和行业资料。
- double sum = 0.0; for(int i = 0; i < n; i++) { if(resistors[i] > 0) { sum += 1.0 / resistors[i]; 在C语言中计算并联电阻的总电阻是一个常见的应用问题,它涉及到基本的物理知识与编程技巧的结合。并联电路中的总电阻可以通过所有并联电阻倒数的和的倒数来计算。首先,我们需要定义一个函数来处理这一计算过程。例如...
- N+P互补对MOS管31V至100V:高耐压N沟道器件性能解析 N+P互补对MOS管在高压应用中的核心优势在现代电力电子系统中,N+P互补对MOS管因其优异的开关特性与高耐压能力,广泛应用于电源管理、电机驱动及工业控制等领域。其中,工作电压范围覆盖31V至100V的N沟道MOS管,尤其适用于需要...
- 0-40V N MOSFET与40-300V N MOSFET性能对比及应用解析 0-40V N MOSFET与40-300V N MOSFET核心参数对比在现代电源管理与功率电子系统中,N沟道金属-氧化物-半导体场效应晶体管(N MOSFET)扮演着关键角色。根据工作电压范围的不同,可将N MOSFET分为两大类:0-40V低电压型与40-300V高电压型。这...
- 40-300V N MOS与0-40V N MOS参数对比:应用场景与选型指南 40-300V N MOS与0-40V N MOS核心参数对比在电源管理、电机驱动及开关电源设计中,N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(N MOSFET)是关键元件。根据耐压范围的不同,可将N MOS分为高耐压型(40-300V)与低压型(0-40V)。以下从多个维度...
- 30V互补对N+P MOS管 在现代电子设备中,MOS管(金属氧化物半导体场效应晶体管)是不可或缺的组件之一,广泛应用于模拟和数字电路设计中。特别是对于30V互补对N+P MOS管,它在高压应用中表现尤为突出,能够提供优异的性能和稳定性。30V互补对N+...
- 台湾光颉Viking:电子元器件领域的领先品牌解析 台湾光颉Viking:电子元器件行业的创新先锋作为全球知名的电子元器件制造商,台湾光颉Viking(Viking Electronics)自成立以来,始终致力于为客户提供高性能、高可靠性的电子组件。其产品广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电...
- 台湾光颉Viking与VikingDiodes Vishay:电子元件领域的领先品牌解析 台湾光颉Viking与VikingDiodes Vishay:电子元件领域的领先品牌解析在现代电子工业快速发展的背景下,高品质、高性能的电子元器件成为各类智能设备的核心支撑。其中,台湾光颉(Viking)及其旗下品牌VikingDiodes Vishay,凭借其卓越的...
- N+P互补对MOS管工作原理 N沟道和P沟道互补型金属氧化物半导体(CMOS)技术是现代集成电路中最常用的技术之一。CMOS技术利用了N沟道MOSFET(NMOS)和P沟道MOSFET(PMOS)两种晶体管的互补特性,从而实现了低静态功耗、高噪声容限和较好的逻辑电平转换能力...
- N+P互补对MOS管的设计优化与挑战分析 设计中的关键参数考量在实际电路设计中,N+P互补对MOS管的性能不仅取决于其基本结构,还受到多种因素影响。以下为关键设计要素:1. 尺寸匹配(宽长比优化)为了实现对称的传输特性,需合理设置NMOS与PMOS的宽长比(W/L)。通...
- 31V至100V互补对N+P MOS管的应用与特性分析 在高压电力电子设备中,MOS管(金属氧化物半导体场效应晶体管)扮演着至关重要的角色。特别是那些工作在31V至100V电压范围内的MOS管,它们在电源管理、电机控制、LED驱动等众多领域发挥着重要作用。互补对N+P MOS管是指在同一...
- 现货SMC压力开关ISE30A-01-N-L: 高性能与可靠性的结合 现货供应的SMC压力开关ISE30A-01-N-L是一种高性能的自动化控制元件,广泛应用于各种工业领域。这款压力开关具备精确的压力检测功能,能够在系统压力达到预设值时迅速做出反应,从而实现对机械设备的有效控制。ISE30A-01-N-L型号...
- 如何正确选用100V P/N沟道MOS管?技术要点全解析 100V P/N沟道MOS管的选型与设计优化策略在电源管理与智能控制领域,合理选用100V耐压的P沟道与N沟道MOS管是保障系统稳定性和效率的关键环节。本文将从性能指标、电路拓扑、热管理等多个维度进行深入剖析。1. 电压与电流匹配原...
- 0-40V N沟道MOSFET的应用与选择指南 在电子设计中,0-40V N沟道MOSFET是一种常用的半导体器件,广泛应用于电源管理、电机控制和信号放大等场合。正确选择和应用MOSFET对于确保电路性能和可靠性至关重要。本文将探讨如何根据具体需求选择合适的0-40V N沟道MOSFET,并...
- 深入理解N+P互补对MOS管:从材料到性能优化策略 互补对MOS管的核心组成与工作模式N+P互补对指的是在同一芯片上集成的NMOS与PMOS晶体管,它们共同构成互补逻辑门(如CMOS反相器)。这种结构以极低的静态功耗和优异的信号完整性著称,尤其适合高密度集成电路设计。1. NMOS与PM...
- N+P互补对MOS管30V技术解析:结构、特性与应用优势 N+P互补对MOS管30V的基本原理在现代模拟与数字集成电路设计中,N+P互补对MOS管(即NMOS与PMOS构成的互补结构)是核心构建单元之一。其中,30V耐压等级的互补对MOS管广泛应用于电源管理、电机驱动和工业控制等领域。该器件通过在...
- 如何在8V~29V系统中正确设计P/N沟道MOS管驱动电路 引言:驱动电路的重要性在8V至29V的电力电子系统中,正确设计MOS管的栅极驱动电路是确保器件稳定、高效运行的关键环节。无论是P沟道还是N沟道器件,若驱动不当,可能导致导通不完全、开关速度慢甚至击穿损坏。核心设计原...
- 深入解析N+P互补对MOS管在数字电路中的应用与优势 N+P互补对MOS管的基本原理在现代集成电路设计中,互补金属氧化物半导体(CMOS)技术是主流架构之一。其中,N+P互补对MOS管由一个NMOS(N型沟道MOSFET)和一个PMOS(P型沟道MOSFET)构成,二者协同工作以实现逻辑门功能。1. 工作机制...
- N+P互补对MOS管在8V至29V电源系统中的应用与优势分析 引言在现代电子系统中,尤其是工业控制、汽车电子和高电压电源管理领域,8V至29V的宽电压范围供电需求日益增长。N+P互补对MOS管(即N沟道与P沟道MOSFET组成的互补结构)因其优异的开关性能和高可靠性,成为该电压区间内核心...
- N+P互补对MOS管工作电压范围从8V到29V的应用与选型指南 在电子设计领域,特别是在电源管理和电机控制等应用中,选择合适的MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)至关重要。N+P互补对MOS管因其独特的性能,在宽电压范围内提供了出色的解决方案。本文将围绕N+P互补对MOS管的工作电压范...
- 深入解析:0-40V N MOS vs PMV0402-5R0E100 与 PVR10D 的电气特性差异 核心差异:从电气参数看技术定位在实际工程应用中,仅看“电压范围”不足以判断器件优劣。以下从关键电气参数出发,深度剖析三款产品的本质区别。一、关键参数对比表 参数 0-40V N MOS PVR10D PMV0402-5R0E100 最大...