2020年结束了,去年的手机数字圈也结束了,年初Mi 11的发布也拉开了新年的数字圈的序幕。回顾过去一年,从三星GalaxyS20系列到传闻已久的新款iPhoneSE,再到首次登陆高端旗舰市场的小米Mi 10,以巩固高端旗舰华为P40 Mate40系列和迟来的iPhone12,当然不乏像魅族17这样的小工厂梦。
总之,在过去的一年中,在流行病的影响下,手机制造商一直在努力争取生产能力,并且仍然有很好的表现。随着时间的流逝,所有新的一年的新产品都已经曝光,苹果公司也有了新的消息。
据悉,苹果将在第一季度发布iPadmini系列的新产品。话不多说,让我们来看看!首先,明美想说的是:尽管iPadmini5上市已有2年了,但其配备齐全的屏幕,A12处理器以及相对较低的价格仍然是当前iPad系列中最香的产品,尤其是买了它来玩游戏的同学。
显然,苹果还在继续开发新的iPadmini,这无疑更有利于那些追求便携式用户的需求。并不是说外国媒体最近就曝光了iPadmini系列产品线的消息:3月份发布的iPad mini系列产品具有更大的屏占比。
在产品外观方面,新款iPadmini的屏幕已从以前的7.9英寸升级到8.4英寸,屏幕边框已经缩小,整体屏幕占比更高。同时,整个机器的尺寸不会比上一代增加。
在增加屏幕面积的同时,iPadmini6将使用更细长的框架,因此总面积不会变大,但仍将保留原始的TouchID主键。但是不幸的是,暂时还不清楚iPadmini6将使用哪种配置。
此前有传言称iPad9将使用A13Bionic,因此iPadmini6上预计不会出现A14Bionic(iPadAir4使用的核心)。因此,就核心Soc而言,明美认为,新款iPadmini的高可能性仍将是A13。
毕竟,它需要与Air4之类的产品打开定位间隙。但是,A13的整体性能也很强。
对于学生来说,就足够了。就发布时间而言,新款iPadmini将在今年3月的苹果春季会议上亮相。
此外,苹果将推出12.9英寸iPadPro产品,或在平板电脑产品系列中引入MiniLED显示屏。 MiniLED结合了当前LCD和OLED技术的优势,并通过数十微米的LED背光模块实现了非常高的光控制水平,与包括深色黑色在内的当前iPad屏幕相比,它可以带来更好的显示效果。
,更明亮的亮度,更丰富的色彩和更高的对比度。此外,在即将面世的iPad Pro上,后置摄像头的突出程度较小。
也就是说,新iPadPro的整个摄像头模块凸起仍然存在,但是单个摄像头镜头的多余凸起不再存在,只有平坦的摄像头凸起。扬声器的设计也发生了变化。
与当前模型相比,两侧的扬声器孔总数减少了三分之二,并且扬声器孔的位置也已更改。在配置方面,新的iPadPro12.9预计将配备5纳米工艺A14X处理器,并且还将配备支持5G网络和至少6GB内存的Qualcomm Snapdragon X55基带。
另外,到目前为止,iPadmini6的新闻主要分为两种类型:简化版iPadAir4和简化版iPadAir3。前者具有四侧等宽框架+ USB-C端口+ ApplePencil2 +较昂贵的价格,后部具有更大的屏幕+较窄的框架+物理主页按钮+较低的价格。
作为小屏幕派对,明美期待着iPadmini的全屏版本,它绝对是阅读,观看戏剧和手机游戏的人工产物。最重要的是更好地匹配iPhone12mini。
此外,明美了解到苹果分析师郭明analyst在2020年5月表示,下一代iPadmini的显示器尺寸将达到8.5至9英寸。他还表示,苹果公司正在开发配备mini-LED显示屏的iPadmini,但目前尚不清楚iPadmini6是否是具有升级显示屏的iPadmini。
至于发布时间,iPadmini6可能会在三月份发布,而苹果可能会在同月发布其他产品更新,包括传闻中将使用mini-LED的12.9英寸iPadPro和带有自主研发芯片的新Mac产品。 。
最后,明美无贤想说的是:乔布斯(Jobs)启动。
公司: 深圳市捷比信实业有限公司
电话: 0755-29796190
邮箱: momo@jepsun.com
产品经理: 李经理
QQ: 2215069954
地址: 深圳市宝安区翻身路富源大厦1栋7楼

更多资讯
获取最新公司新闻和行业资料。
- double sum = 0.0; for(int i = 0; i < n; i++) { if(resistors[i] > 0) { sum += 1.0 / resistors[i]; 在C语言中计算并联电阻的总电阻是一个常见的应用问题,它涉及到基本的物理知识与编程技巧的结合。并联电路中的总电阻可以通过所有并联电阻倒数的和的倒数来计算。首先,我们需要定义一个函数来处理这一计算过程。例如...
- 采样电阻TA-I合金电阻RLM25FEER001 2512 2W 1mΩ 加工定制否品牌TA-I/大毅型号RLM25FEER001种类合金电阻性能高功率材料合金制作工艺合金贴片工艺外形平面片状允许偏差±1%温度系数100PPM/℃额定功率2(W)功率特性大功率频率特性高频产品性质取样电流电阻 采样检测电阻货号W5025...
- TAI薄膜精密电阻技术深度解析:与TA-I、TAITIEN的性能差距在哪里? TAI薄膜精密电阻技术深度剖析:超越TA-I与TAITIEN的关键因素随着电子系统向小型化、高集成度与高可靠性发展,薄膜精密电阻的性能成为决定系统成败的关键之一。大毅科技(TAI)作为全球领先的精密电阻制造商,其推出的TAI系列...
- 大毅TAI薄膜精密电阻与TA-I、TAITIEN对比分析:性能、应用与技术优势全解析 大毅TAI薄膜精密电阻与TA-I、TAITIEN全面对比在高精度电子元件领域,薄膜精密电阻是实现稳定信号传输与精确测量的核心组件。大毅科技(Taiwan Advanced Instruments, TAI)推出的TAI系列薄膜精密电阻,凭借其卓越的稳定性与可靠性,已...
- 台湾TA-I大毅合金电阻RLP25FEER050 2512 2W 50mΩ电流检测合金电阻 商品属性加工定制否品牌TA-I型号RLP25FEER050种类大功率合金电阻性能高功率 高精度 耐高温材料合金制作工艺合金贴片工艺外形平面片状允许偏差±1%温度系数100PPM/℃额定功率2(W)功率特性大功率频率特性中频产品性质合金电阻 检...
- N+P互补对MOS管31V至100V:高耐压N沟道器件性能解析 N+P互补对MOS管在高压应用中的核心优势在现代电力电子系统中,N+P互补对MOS管因其优异的开关特性与高耐压能力,广泛应用于电源管理、电机驱动及工业控制等领域。其中,工作电压范围覆盖31V至100V的N沟道MOS管,尤其适用于需要...
- GMR技术在数据存储与信息安全中的创新应用 GMR技术在数据存储与信息安全中的创新应用除了在传感领域大放异彩,巨磁阻(GMR)技术在数据存储和信息安全方面也展现出巨大潜力。作为硬盘读取头的核心技术之一,GMR已深刻改变了现代信息存储的格局。一、从传统磁记录...
- 30V互补对N+P MOS管 在现代电子设备中,MOS管(金属氧化物半导体场效应晶体管)是不可或缺的组件之一,广泛应用于模拟和数字电路设计中。特别是对于30V互补对N+P MOS管,它在高压应用中表现尤为突出,能够提供优异的性能和稳定性。30V互补对N+...
- 现货SMC磁性开关D-90、D-A93 D-A73:高效可靠的自动化控制选择 现货供应的SMC磁性开关D-90、D-A93和D-A73型号是工业自动化领域中不可或缺的传感设备。这些开关主要用于检测气缸活塞的位置,通过内置的磁感应元件来实现非接触式的信号传输。它们在设计上具备小巧紧凑的特点,能够轻松安装...
- N+P互补对MOS管工作原理 N沟道和P沟道互补型金属氧化物半导体(CMOS)技术是现代集成电路中最常用的技术之一。CMOS技术利用了N沟道MOSFET(NMOS)和P沟道MOSFET(PMOS)两种晶体管的互补特性,从而实现了低静态功耗、高噪声容限和较好的逻辑电平转换能力...
- N+P互补对MOS管的设计优化与挑战分析 设计中的关键参数考量在实际电路设计中,N+P互补对MOS管的性能不仅取决于其基本结构,还受到多种因素影响。以下为关键设计要素:1. 尺寸匹配(宽长比优化)为了实现对称的传输特性,需合理设置NMOS与PMOS的宽长比(W/L)。通...
- 31V至100V互补对N+P MOS管的应用与特性分析 在高压电力电子设备中,MOS管(金属氧化物半导体场效应晶体管)扮演着至关重要的角色。特别是那些工作在31V至100V电压范围内的MOS管,它们在电源管理、电机控制、LED驱动等众多领域发挥着重要作用。互补对N+P MOS管是指在同一...
- WAN005320FD251SD01解析及相关信息 对于代码"WAN005320FD251SD01",看起来它可能是一个产品序列号、设备标识符或特定系统中的编码。这类编码通常用于追踪、管理和识别特定的设备或产品。虽然没有具体的信息说明它的用途,但我们可以猜测它可能被用于以...
- GYD5-6.3/A:一种高效可靠的气压自动开关 GYD系列气压自动开关是一种高效、可靠的电气控制设备,其中GYD5-6.3/A型号具有广泛的应用场景。这种自动开关主要应用于工业生产过程中,对气体压力进行监测和控制,确保系统的稳定运行。GYD5-6.3/A采用先进的设计理念和技术制...
- 如何正确选用100V P/N沟道MOS管?技术要点全解析 100V P/N沟道MOS管的选型与设计优化策略在电源管理与智能控制领域,合理选用100V耐压的P沟道与N沟道MOS管是保障系统稳定性和效率的关键环节。本文将从性能指标、电路拓扑、热管理等多个维度进行深入剖析。1. 电压与电流匹配原...
- 深入理解N+P互补对MOS管:从材料到性能优化策略 互补对MOS管的核心组成与工作模式N+P互补对指的是在同一芯片上集成的NMOS与PMOS晶体管,它们共同构成互补逻辑门(如CMOS反相器)。这种结构以极低的静态功耗和优异的信号完整性著称,尤其适合高密度集成电路设计。1. NMOS与PM...
- N+P互补对MOS管30V技术解析:结构、特性与应用优势 N+P互补对MOS管30V的基本原理在现代模拟与数字集成电路设计中,N+P互补对MOS管(即NMOS与PMOS构成的互补结构)是核心构建单元之一。其中,30V耐压等级的互补对MOS管广泛应用于电源管理、电机驱动和工业控制等领域。该器件通过在...
- WAN007030JD271SN03产品信息及查询指南 对于编号WAN007030JD271SN03,这看起来像是某个产品或设备的特定标识码。这种编码通常用于制造商内部的产品追踪、库存管理以及客户服务等环节。虽然我无法直接提供关于这个具体编号的详细产品信息,但可以给您一些通用的建...
- 如何在8V~29V系统中正确设计P/N沟道MOS管驱动电路 引言:驱动电路的重要性在8V至29V的电力电子系统中,正确设计MOS管的栅极驱动电路是确保器件稳定、高效运行的关键环节。无论是P沟道还是N沟道器件,若驱动不当,可能导致导通不完全、开关速度慢甚至击穿损坏。核心设计原...
- 深入解析N+P互补对MOS管在数字电路中的应用与优势 N+P互补对MOS管的基本原理在现代集成电路设计中,互补金属氧化物半导体(CMOS)技术是主流架构之一。其中,N+P互补对MOS管由一个NMOS(N型沟道MOSFET)和一个PMOS(P型沟道MOSFET)构成,二者协同工作以实现逻辑门功能。1. 工作机制...